Power MOSFET The IRFL9014TRPBF is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -2.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-speed switching circuits.  
- RoHS compliant and lead-free.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET technology for low on-resistance.  
- Fast switching performance.  
- High ruggedness and reliability.  
- Low gate charge for improved efficiency.  

For detailed application guidance, refer to the official Vishay datasheet.

Power MOSFET

Power MOSFET The IRFL9014TRPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFL9014TRPBF  

### **Type:**  
N-Channel HEXFET Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.45Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min), 2V (Typ), 3V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 4.3nC (Typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 110pF (Typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (Typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (Typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (Typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (Typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (Typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (Typ)  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (TO-236AB)  
- **Pins:** 3  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for efficient power handling  
- High-speed switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management circuits  
- Motor control  
- Load switching  
- Battery-powered applications  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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