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IRFL9110TR from IR,International Rectifier

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15.625ms

IRFL9110TR

Manufacturer: IR

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL9110TR IR 1000 In Stock

Description and Introduction

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL9110TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.8A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 7.2A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 90pF (typical)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency in switching circuits.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters and power management.  
- ESD protection for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFL9110TR IRF 380 In Stock

Description and Introduction

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL9110TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IRF)  
- **Part Number:** IRFL9110TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 4.4A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Drain-Source On-Resistance (RDS(on)):** 5.5Ω (max) @ VGS = 10V, ID = 0.5A  
- **Input Capacitance (Ciss):** 35pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns  
- **Rise Time (tr):** 15ns  
- **Fall Time (tf):** 15ns  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The IRFL9110TR is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-power switching applications. It features a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive  
- Fast switching performance  
- Low input and output capacitance  
- Compact SOT-23 package  
- Suitable for battery-powered applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official IRF documentation.

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