200V N-Channel MOSFET The IRFM210B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** IRFM210B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFM210B is an N-Channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (0.3Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling (6.5A continuous, 26A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.