250V N-Channel MOSFET The IRFM214B is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (FAIRCHILD Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFM214B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFM214B is an N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications, offering low on-resistance and fast switching speeds. It is suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability (30A continuous, 120A pulsed)  
- Robust and reliable TO-220AB package  
- Suitable for high-efficiency power applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.