Advanced Power MOSFET The IRFM220A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFM220A  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFM220A is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications, offering low on-resistance and high efficiency. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications  
- **Improved dv/dt Capability** for enhanced performance in high-frequency circuits  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFM220A. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

Advanced Power MOSFET The IRFM220A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 5.2A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFM220A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for efficiency in power conversion circuits, motor control, and other high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.