200V N-Channel MOSFET The IRFM220B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFM220B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFM220B is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **200V Drain-Source Voltage Rating**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.