250V N-Channel MOSFET The IRFM224B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust thermal performance due to TO-220 package.  
- Avalanche energy specified for reliability in inductive load applications.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFM224B. For exact details, refer to the official documentation.

250V N-Channel MOSFET The IRFM224B is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFM224B is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance for high-frequency applications  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Robust and reliable construction for demanding environments  
- Suitable for DC-DC converters, motor drives, and power supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.