200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package The IRFM250 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 250V  
- **Current Rating (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFM250 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and high switching speed, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- The device is housed in a TO-247 package for efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High current handling capability** (30A continuous).  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-247 package** for improved thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.