HEXFET Power MOSFET The IRFP044PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRFP044PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and reliability.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.