55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP048NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 72A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 290A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-247AC (Through-Hole)**  

### **Description:**  
The IRFP048NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for efficient high-frequency operation.  
- **High Current Handling Capability** (72A continuous, 290A pulsed).  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.