55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP054NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 66A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 260A  
- **Power Dissipation (PD):** 180W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.0077Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP054NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Avalanche energy specified  
- 100% tested for RDS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.  

(Note: All data is based on the manufacturer's datasheet.)