55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP064NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Part Number:**  
IRFP064NPBF  
### **Description:**  
N-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 440A  
- **Power Dissipation (PD):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 400pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 70ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 40ns (typical)  
### **Package:**  
TO-247AC (3-pin through-hole package)  
### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low on-resistance (RDS(on))  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche rated  
### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-power amplification  
- Automotive systems  
This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFP064NPBF.