HEXFET Power MOSFET The IRFP064PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFP064PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-247AC (Through-Hole)  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 440A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 7.0 mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4800 pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300 pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The IRFP064PBF is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in industrial, automotive, and power supply systems.  
### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Robust and reliable TO-247AC package  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
This MOSFET is commonly used in motor control, DC-DC converters, and high-power switching applications.