55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP1405PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFP1405PBF  

### **Description:**  
The IRFP1405PBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, optimized for efficiency and reliability in demanding environments.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 8400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 620pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 2.8J  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-247AC (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced Process Technology for Low On-Resistance  
- Ultra-Low Gate Charge for Fast Switching  
- High Current Handling Capability  
- Improved dv/dt Capability  
- 100% Avalanche Tested  
- Lead-Free & RoHS Compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

(Note: All specifications are based on manufacturer datasheets and may vary under different operating conditions.)