33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRFP140N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.044Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP140N is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-247AC** (3-pin through-hole package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRFP140N datasheet.