100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package The IRFP150MPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFP150MPBF  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP150MPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in high-power applications  
- TO-247AC package for efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package The IRFP150MPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP150MPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  

### **Description:**  
The IRFP150MPBF is a high-power N-channel MOSFET designed for applications requiring high current handling and low on-resistance. It is suitable for switching and amplification in power supplies, motor control, and other high-performance circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Rugged and reliable design  
- Avalanche energy specified  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.