SMPS MOSFET HEXFET?Power MOSFET The IRFP17N50LPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP17N50LPBF is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides high power dissipation capability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRFP17N50LPBF.