500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SMD-247 package The IRFP17N50LS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRFP17N50LS is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for low conduction losses and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.