600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP21N60L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.23Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP21N60L is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces switching losses.  
- **TO-247 Package:** Provides high power dissipation capability.  

This information is based solely on manufacturer specifications and does not include any additional recommendations.