Power MOSFET The IRFP21N60LPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFP21N60LPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP21N60LPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for applications such as switch-mode power supplies (SMPS), motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.