500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP22N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.5J (tested)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFP22N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is built using IR’s advanced HEXFET® technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- The device is suitable for applications such as switching power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Robust performance under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in switching applications.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.