500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP22N50A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP22N50A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of IR's HEXFET® series, known for efficient power handling and low conduction losses.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** for reliable operation.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage switching applications.  

(Note: Specifications may vary slightly depending on datasheet revisions.)