600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP22N60KPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 22A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 88A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP22N60KPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.