500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP23N50LPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.23Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFP23N50LPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® series, optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)