HEXFET? Power MOSFET The IRFP244PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP244PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® Power MOSFET series, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Ensures low on-resistance and high switching speed.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** Enhances ruggedness in switching applications.  
- **Fully Avalanche Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Facilitates efficient heat dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and high-frequency inverters.