33A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRFP250 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFP250 is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features a low on-resistance, high switching speed, and robust performance in various power electronics applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 16A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 570pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for optimized performance in switching circuits.  
- **TO-247AC Package** for efficient thermal dissipation.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.