200V N-Channel A-FET / Replaced by IRFP250B The IRFP250A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFP250A is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Ensures low conduction losses and high efficiency.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in harsh conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures consistent performance.  
- **TO-247AC Package:** Provides robust thermal and mechanical performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRFP250A datasheet.

200V N-Channel A-FET / Replaced by IRFP250B