200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package The IRFP250MPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFP250MPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The IRFP250MPBF is a high-power N-channel MOSFET designed for switching applications in power supplies, motor control, and other high-current circuits. It features low on-resistance, high switching speed, and robust thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.