N-Channel Power MOSFET 200V, 30A, 0.075-Ohm The IRFP250N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 64ns  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP250N is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (200V)**  
- **Low On-Resistance (0.075Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.