200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP250NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP250NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This MOSFET is packaged in a TO-247AC through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

(Note: All specifications are based on Infineon's datasheet.)

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package