200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP250PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP250PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** Designed for high-power applications with a 200V breakdown voltage and 30A continuous current rating.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient switching with a low R_DS(on) of 0.085Ω (max).  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications due to low gate charge and fast switching times.  
- **Robust Construction:** TO-247AC package ensures good thermal performance and mechanical durability.  
- **Avalanche Energy Rated:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Applications:** Commonly used in power supplies, motor control, inverters, and high-current switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP250PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFP250PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is housed in a TO-247AC package for efficient thermal management.