(IRFP252 / IRFP253) N-Channel(Hexfet Transistors) The IRFP251 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The IRFP251 is a high-voltage, N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous current  
- **Robust Thermal Performance:** TO-247AC package for efficient heat dissipation  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.