N-Channel(Hexfet Transistors) The IRFP253 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP253 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance, high switching speed, and robust performance in high-power circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 250V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 23A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.