250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP254N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
- The IRFP254N is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It features a low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (250V)  
- **Low On-Resistance** (0.085Ω)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official documentation.