250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP254NPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (VIS)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65 ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30 ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns (typ)  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP254NPBF is a high-voltage, N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Power Handling:** Capable of dissipating up to 200 W.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-247AC Package:** Offers good thermal performance and mechanical strength.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.