200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP260 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFP260 is an N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-state resistance, high switching speed, and rugged avalanche characteristics.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D @ 25°C):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on) @ V_GS = 10V):** 0.055Ω (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g @ V_DS = 100V, I_D = 50A):** 150nC (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.6J (single pulse)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Rated** for ruggedness in inductive load conditions  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **TO-247AC Package** for better thermal performance  

This information is sourced from the official IRFP260 datasheet by International Rectifier.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package