200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP260NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 25A)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical at V_DS = 100V, I_D = 25A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical at V_DS = 25V, V_GS = 0V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures stable performance in switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, and high-current switching applications.