600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP26N60L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IR (International Rectifier)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 26A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 104A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 75nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The IRFP26N60L is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V rating for demanding applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.