600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP27N60K is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 27A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 108A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFP27N60K is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of IR’s HEXFET® family, offering low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **TO-247 Package:** Ensures high power dissipation capability.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.