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IRFP27N60KPBF from VIS

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IRFP27N60KPBF

Manufacturer: VIS

HEXFET Power MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFP27N60KPBF VIS 166 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFP27N60KPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (VIS)**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 27A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 108A  
- **Power Dissipation (PD):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 72nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-247AC (3-pin through-hole package)**  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy rated**  
- **High current capability**  
- **Low on-resistance**  
- **Designed for high-efficiency power applications**  

### **Applications:**  
- **Switching power supplies**  
- **Motor control**  
- **Inverters**  
- **Industrial and automotive systems**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFP27N60KPBF VISHAY 3000 In Stock

Description and Introduction

HEXFET Power MOSFET The IRFP27N60KPBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP27N60KPBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 27A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 108A  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP27N60KPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is part of Vishay’s HEXFET® series, known for high performance and reliability.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating (600V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Low Gate Charge**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.

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