75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP2907PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFP2907PBF  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 209A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 840A  
- **Power Dissipation (P_D):** 520W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 280pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP2907PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-current, high-power applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 209A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **TO-247 Package:** Ensures good thermal performance and mechanical strength.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.