500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP31N50L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 124A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRFP31N50L is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247 Package for High Power Dissipation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.