150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP3415 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFP3415 is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge** for reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating** for improved performance in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental compliance.  

The device is packaged in a TO-247AC (3-pin) through-hole package.  

(Source: International Rectifier IRFP3415 Datasheet)