Power MOSFET The IRFP350LCPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  
### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFP350LCPBF  
### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 16A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 64A  
- **Power Dissipation (PD):** 180W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.30Ω (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  
### **Description:**  
The IRFP350LCPBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  
### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable construction  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.