400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP360LCPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.20Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP360LCPBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.