100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP3710 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 210pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 49ns (typical)  

### **Description:**  
The IRFP3710 is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for efficient switching  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for reliable performance  
- **TO-247AC Package** for high power dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.