100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP3710PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP3710PBF is a **N-Channel Power MOSFET** designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load switching  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters** for optimized circuit design  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is packaged in a **TO-247AC** through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)