150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4228PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.6J  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFP4228PBF is a N-channel power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, high current handling capability, and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.