250V Single N-Channel Plasma Display Panel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4232 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP4232 is a high-performance N-Channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Robust and reliable TO-247AC package  
- Avalanche energy specified  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.