250V Single N-Channel Plasma Display Panel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP4232PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.032Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical at V_DS = 250V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical at V_DS = 25V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP4232PBF is a high-performance N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high pulsed and continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.